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长鑫科技DRAM市占率升至10%，稳居全球第四
长鑫科技DRAM市占率升至10%，稳居全球第四
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中国存储芯片龙头企业长鑫科技在全球动态随机存取存储器（DRAM）市场持续取得突破。根据市场调研机构Counterpoint... 2026年9月6日, 俄罗斯卫星通讯社
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同期，其他主要厂商的市场份额变化明显：三星由33%升至38%，SK海力士由39%降至25%，美光则由22%小幅升至24%。业绩方面，长鑫科技于8月28日发布了上市后的首份半年报。数据显示，上半年公司实现营收1503.1亿元人民币，同比增长873.64%；归属于上市公司股东的净利润达776.05亿元，成功实现扭亏为盈。公司业绩大幅增长主要受益于全球人工智能基础设施建设热潮，存储芯片需求持续上升，带动供应趋紧及产品价格走高，行业供需关系显著改善。作为通用DRAM供应商，长鑫科技正加快产能扩充，并积极推进高带宽存储器（HBM）等高端技术的研发，以增强在高端存储产品领域的竞争力。
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长鑫科技DRAM市占率升至10%，稳居全球第四
中国存储芯片龙头企业长鑫科技在全球动态随机存取存储器（DRAM）市场持续取得突破。根据市场调研机构Counterpoint Research于9月2日发布的行业报告，2026年第二季度，长鑫科技在全球DRAM营收中的市场份额已从去年同期的4%提升至10%，继续位居全球第四位，进一步缩小了与行业前三强——三星、SK海力士和美光的差距。
同期，其他主要厂商的市场份额变化明显：三星由33%升至38%，SK海力士由39%降至25%，美光则由22%小幅升至24%。
业绩方面，长鑫科技于8月28日发布了上市后的首份半年报。数据显示，上半年公司实现营收1503.1亿元人民币，同比增长873.64%；归属于上市公司股东的净利润达776.05亿元，成功实现扭亏为盈。
公司业绩大幅增长主要受益于全球
人工智能基础设施建设热潮，存储芯片需求持续上升，带动供应趋紧及产品价格走高，行业供需关系显著改善。
作为通用DRAM供应商，长鑫科技正加快产能扩充，并积极推进高带宽存储器（HBM）等高端技术的研发，以增强在高端存储产品领域的竞争力。
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